Sáng chế đề cập đến pin năng lượng mặt trời bao gồm nền bán dẫn có mặt trên và mặt dưới đối diện nhau

Sáng chế đề cập đến pin năng lượng mặt trời bao gồm nền bán dẫn có mặt trên và mặt dưới đối diện nhau, các lớp xuyên hầm được đặt ở mặt dưới của nền bán dẫn, các lớp dẫn điện pha tạp được bố trí ở dưới các lớp xuyên hầm, kết cấu PN được tạo ở mặt trên của nền bán dẫn, các lớp thụ động hóa được bố trí ở mặt trên của kết cấu PN. Trong đó, lớp thụ động hóa gồm ba lớp oxit nhôm, lớp dẫn điện pha tạp thứ nhất, lớp dẫn điện pha tạp thứ hai có nồng độ pha tạp tăng dần theo thứ tự tương ứng và lớp dẫn điện pha tạp thứ nhất có nồng độ pha tạp thay đổi giảm dần theo chiều từ lớp dẫn điện pha tạp thứ hai đến lớp xuyên hầm thứ ba.